리소그래피 공정에서는, 부드러운 가열 과정 중에 발생하는 온도 변동이 문제가 됩니다. 이러한 변동은 CD-SEM이 이상 신호를 보내기 전까지는 알아차리기 어렵습니다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 0.5°C의 온도 차이가 생기면, 중요한 치수 제어가 불가능해집니다. 저희는 이러한 온도 변동을 최소화하기 위해 적외선 가열 장치를 개발했습니다.
핵심 요소들 저희는 빠르게 반응하는 석영 소자를 사용한 단파 적외선 광원을 사용하여, 빠르고 국부적인 가열이 가능합니다. 열 지연 현상도 거의 없습니다. 포토레지스트를 부드럽게 가열할 때는, 공정 구역 내에서 웨이퍼의 온도를 ±0.1°C 범위로 유지하며, 배치별로도 ±0.5°C 이내로 일관된 온도를 유지합니다.
출력값은 포토레지스트의 열 관리에 맞게 조절되며, 과열이나 미가열 현상이 발생하지 않습니다. 또한 입자 생성도 완전히 차단됩니다. 이 장비는 클래스 1–100급 청정실에서도 사용할 수 있으며, 그 열 프로파일은 국제 반도체 장비 표준에 부합합니다. 이는 이미 실제 생산 현장에서 검증된 방식입니다.
생산에서의 장점 안정적인 치수 제어가 가능하여 재작업이 줄어듭니다. 빠른 열 안정화 덕분에 가열 주기가 단축되고, 처리 속도가 향상됩니다. 열이 필요한 곳에만 전달되므로 에너지 사용량도 줄어듭니다.
신뢰성도 뛰어납니다. 이 장비는 5,000시간 이상 작동해도 성능 저하가 5% 미만입니다. 따라서 24시간 내내 생산을 계속할 수 있으며, 예상치 못한 문제도 줄어듭니다.
실용적인 세부 사항 설치 시에는 장비의 크기와 인터페이스를 기존의 트랙이나 코팅/가열 모듈과 맞춰야 합니다. 약간의 기계적 및 전기적 통합이 필요하지만, 큰 문제는 아닙니다. 설정 과정도 짧은 시간이 소요됩니다. 일단 설정이 완료되면, 공정의 안정성이 유지됩니다.